Cybersecurity and privacy risk assessment of point-of-care systems in healthcare: A use case approach
Kiletransistor (lühend TFT inglise keele sõnadest thin-film transistor) on eritüüpi väljatransistor, täpsemalt isoleeritud paisuga väljatransistor (IGFET ehk MISFET), mida kasutatakse eriti vedelkristallkuvarites, igas pildipunktis kolm transistori.
Niisugune transistor saadakse mitmekihilise kilestruktuurina enamasti klaasi pinnal. Kiletransistor erineb tüüpilisest isoleeritud paisuga väljatransistorist (peale kasutatavate materjalide) eelkõige suurepinnalise paisu (Gate) poolest, nii et selle peale mahuvad lätte (Source) ja neelu (Drain) elektroodid. Need on kontaktis pooljuhiga (amorfse räniga), mida isoleerib paisust dielektrikukiht. Paisumaterjaliks on peamiselt nanotehnoloogiline indiumtsinkoksiid (ITO), mis tagab paisu läbipaistvuse ja väikesed mõõtmed.
Elektroodide vastastikune paigutus võib olla ka joonisel näidatust erinev: suurepinnaline pais võib olla kõige peal (top-gate), ka võib amorfse räni kiht (joonisel sinine) ulatuda üle lätte ja neelu. Kiletransistori elektroodide mõõtmed on enamasti kümnetes ja sadades nanomeetrites.
Kiletransistor töötati välja USA firmas RCA Laboratories 1960. aastatel Esimene läbipaistev, tsinkoksiidil põhinev kiletransistor leiutati 2003. aastal.
Vaata ka
Välislingid
